陈长清
通讯员： 来源：微电子学院 阅读： 发布时间：2025-06-10 审稿：古江波
Ø 个人简介
武汉纺织大学微电子学院院长，教授，博士生导师；入选国家高层次人才，教育部“新世纪优秀人才”，湖北省“楚天学者”特聘教授。兼任中国半导体照明联盟紫外LED专委会副主任，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员，中国兵器工业集团有限公司激光器件技术重点实验室学术委员会委员，Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Sci. Rep.、J. Electron. Mater.、Opt. Express等SCI等学术刊物的论文审稿人，曾任国际学术期刊Frontiers of Optoelectronics编委，参与创立的华灿光电已成功创业板上市。主要研究方向包括：第三代宽禁带半导体材料和器件、氮化物发光二极管LED、半导体紫外探测器和氮化物射频与功率电子等器件的MOCVD外延材料生长和器件制备。先后在 Science Advances、 Nano Energy、 Advanced Functional Materials、ACS Photonics、IEEE Trans. on Elec. Device、Appl. Phys. Lett.、Opt. Express等国际SCI学术刊物上发表了160余篇论文。作为项目负责人，先后主持国家重点研发计划项目课题、国家重点基础研究发展计划973项目课题、973项目子课题、国家自然科学基金面上项目、湖北省杰出青年基金项目和武汉市科技局重点项目等项目。2024年荣获湖北省科学技术进步奖二等奖（排名第一）。
办公地点：崇文楼212
电子邮箱：cqchen@hust.edu.cn
Ø 教育经历
1988.09-1992.06 武汉大学应用物理系 大学本科
1992.09-1995.02 武汉大学半导体物理与器件系 硕士研究生
1995.03-1997.04 中国科学院上海冶金所半导体物理与器件系 攻读博士学位
1997.05-2000.10 德国埃尔朗根-纽伦堡大学半导体物理与器件系 博士研究生
Ø 工作经历
2001.1-2001.3 Virginia Commonwealth University 电子工程系 访问学者
2001.4-2004.2 University of South Carolina 电子工程系 研究科学家
2004.3-2005.10 Azure Semiconductor Technologies Inc. 研发部 技术总监
2005.11-2007.10 华灿光电股份有限公司 研发部 技术总监
2007.11-至今 华中科技大学 武汉光电国家研究中心 教授
2024.04-至今 武汉纺织大学 微电子学院 院长
Ø 研究方向
第三代宽禁带半导体材料和器件
Ø 代表性成果
1. Liu, W.; Peng, M.; Yu, Y.; Zheng, Z.; Jian, P.; Zhao, Y.; Zeng, Y.; Xu, D.; Chen, M.; Luo, Y.; C. Q. Chen; Dai, J.; Wu, F. Gate‐Tunable Spectral Response in β‐Ga2O3 /Te Hybrid Photogating Structure for Ultrasensitive Broadband Detection. Advanced Optical Materials, (2024)2302746.
2. Zheng, Z.; Zhao, Y.; Jian, P.; Tan, S.; Wu, F.; Liu, W.; Yang, Y.; Kim, M.; Dai, J.; C. Q. Chen High-Performance Shortwave Deep-UV Response-Enhanced Photodetector Based on Nanoporous AlGaO/AlGaN with Efficient Light-Harvesting. J. Mater. Chem. C, 11 (2023)216719–16727.
3. Y. Y. Yu, M. Peng, F. Zhong, Z. Wang, X. Ge, H. Chen, J. X. Guo, Y. Wang, Y. Chen, T. F. Xu, T. G. Zhao, T. He, K. Zhang, F. Wu, C. Q. Chen, J. N. Dai, and W. D. Hu. Synergistic effects of extrinsic photoconduction and photogating in a short-wavelength ZrS3 infrared photodetector. Materials Horizons. 10 (2023) 2579-2586.
4. P. C. Jian, X. Q. Cai, Y. M. Zhao, D. Y. Li, Z. Zhang, W. J. Liu, D. Xu, W. X. Liang, X. Zhou, J. N. Dai, F. Wu and C. Q. Chen. Large-scale synthesis and exciton dynamics of monolayer MoS2 on differently doped GaN substrates. Nanophotonics. 12 (2023) 4475-4484.
5. P. C. Jian, S. Z. Tan, Z. Zhang, W. J. Liu, Y. M. Zhao, D. Xu, P. Wang, J. N. Dai, F. Wu, and C. Q. Chen. Controllable synthesis of high-aspect-ratio monolayer MoS2 nano-microribbons for high-performance phototransistors. Science China Materials. 66 (2023) 3941-3948.
6. M. C. Shan, C. Y. Guo, Y. M. Zhao, Q. S. Chen, L. Q. Deng, Z. H. Zheng, S. Z. Tan, W. Guo, J. N. Dai, F. Wu, X. H. Li, and C. Q. Chen. Nanoporous AlGaN Distributed Bragg Reflectors for Deep Ultraviolet Emission. ACS Applied Nano Materials. 5 (2022) 10081–10089.
7. J. H. Hu, F. Wu, J. N. Dai and C. Q. Chen. Growth of InGaN-based blue-LED on AlN/sapphire sputtered with different oxygen flow rate. Frontiers of Optoelectronics. 14 (2021) 507-512.
8. M. Shan, Y. Zhang, M. Tian, R. Lin, J. Jiang, Z. Zheng, Y. Zhao, Y. Lu, Z. Feng, W. Guo, J. Dai, C. Q. Chen, F. Wu, X. Li, Transverse Electric Lasing at a Record Short Wavelength 244.63 nm from GaN Quantum Wells with Weak Exciton Localization, ACS Photonics. 8 (2021) 1264–1270.
9. Y. Zhang, S. Zhang, L. Xu, H. Zhang, A. Wang, M. Shan, Z. Zheng, H. Wang, F. Wu, J. Dai, C. Q. Chen, Full wafer scale electroluminescence properties of AlGaN-based deep ultraviolet LEDs with different well widths, Opt. Lett. 46 (2021) 2111.
10. M. Peng, R. Xie, Z. Wang, P. Wang, F. Wang, H. Ge, Y. Wang, F. Zhong, P. Wu, J. Ye, Q. Li, L. Zhang, X. Ge, Y. Ye, Y. Lei, W. Jiang, Z. Hu, F. Wu, X. Zhou, J. Miao, J. Wang, H. Yan, C. Shan, J. Dai, C. Q. Chen, X. Chen, W. Lu, and W. Hu, "Blackbody-sensitive room-temperature infrared photodetectors based on low-dimensional tellurium grown by chemical vapor deposition," Sci. Adv. 7,(2021) eabf7358.
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