张伟
通讯员： 来源：微电子学院 阅读： 发布时间：2025-06-18 审稿：古江波
Ø 个人简介
武汉纺织大学微电子学院教授；国家“千人计划”领军人才、国家“启明计划”专家、湖北省“楚天学者”特聘教授。蓝河科技创始人、首席科学家，长期从事半导体物理、半导体材料与器件、MOCVD外延材料生长与工艺装备技术等方向研究。作为负责人，主持国家重点研发计划（科技部）项目子课题1项、国家工业和信息化部重点专项项目子课题5项、浙江省级重大创新项目1项，相关研究成果在半导体器件性能提升及核心装备自主化方面发挥了重要作用。以第一作者在国内外SCI学术期刊上发表论文17篇，授权各类专利10余项，其中包括发明专利4项、国际专利2项。研究成果为半导体材料器件及装备技术的工程转化提供了重要支撑。
办公地点：崇文楼212
电子邮箱：wei.zhang@lanhetek.com
Ø 教育经历
1990.09-1994.06 湖北大学物理系，大学本科
1994.09-1998.03 中国科学院固体物理研究所，博士研究生 （硕博连读）
1997.09 入选德国大众奖学金和DAAD奖学金留德计划。
1998.04-1998.07 德国哥廷根（Goettingen）歌德学院
1998.08-2001.09 德国吉森大学（University Giessen）固体物理研究所，博士研究生
Ø 工作经历
2001.10-2001.12 德国吉森大学固体物理所，研究员
2002.01-2007.11 德国爱思强（AIXTRON AG），工程师、高级工程师、部门经理
2007.12-2011.08 德国商先创（centrotherm PV AG），总监
2011.09-2020.05 中晟光电设备（上海）股份有限公司，联合创始人兼首席技术官
2012.05-2017.04 湖北省“楚天学者”特聘教授
2020.06- 至今 蓝河科技（绍兴）有限公司董事长
Ø 研究方向
1、 宽禁带半导体外延与装备（外延生长机理与输运特性；半导体器件外延技术；MOCVD反应区温场、流场与化学反应模拟）
2、 化合物半导体的外延技术与器件特性；
Ø 代表性成果
1. 张伟，李建军，合著专著《LED器件与工艺技术》之第一章“LED材料外延与检测技术” 出版社:电子工业出版社ISBN:978-7-121-26748-2, 页码1- 27（《LED器件与工艺技术》全书合作作者：郭伟玲，钱可元，王军喜，李建军，张伟，张宁，汪延明，王新建，高伟）（2015年）
2. Koetschau, A.Kampmann, T. Hahn, J. Hinze, Wei Zhang*，Centrotherm’s high end CIGS thin film turnkey solution，Proc. SPIE 7518, 751805 (2009年11月)
3. Wei Zhang, B. Meyer*，合著专著“Group III-Nitrides and their Heterostructure: Growth, Characterization and Applications: Growth of GaN quasi-substrates by HVPE”， 合著专著 出版社:Wiley-VCH ISBN:3-527-40475-9, 页码1571 – 1582（2003年8月）
4. Wei Zhang*, B.K. Meyer, et al，Modulated growth of thick GaN with HVPE，J. Crys. Growth, Vol. 234, Issue 4, 66-622（2002年2月）
5. W Zhang*, S Roesel, HR Alves, D Meister, W Kriegseis, DM Hofmann, BK Meyer, R Tiemann, P Veit, J Blaesing, A Krost, J Christen，Dislocation reduction in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy via growth interruption modulation，Appl. Phys. Lett. Vol 78, Issue 6, 772-774（2001年2月）
6. XY Qin*, W Zhang, LD Zhang, LD Jiang, XJ Liu, D Jin，Low-temperature resistance and its temperature dependence in nanostructured silver，Phys. Rev. B, Vol. 56, Issue 6, 10596 – 10604（1997年）
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