彭孟
通讯员： 来源：微电子学院 阅读： 发布时间：2025-06-10 审稿：古江波
Ø 个人简介
武汉纺织大学微电子学院校聘副教授，硕士研究生导师。2016年6月本科毕业于武汉理工大学，2022年6月博士毕业于华中科技大学武汉光电国家研究中心，博士期间赴中国科学院上海技术物理研究所联合培养。博士毕业后在武汉光电国家研究中心从事博士后研究工作。主要研究方向包括半导体材料（如Te、GaN等）的可控制备与表征、光电器件的设计与性能调控、新型结构器件的光电响应机理以及单片集成成像芯片的研发。在Science Advances、Nano Letters、ACS Photonics等国际期刊以第一作者或通讯作者发表SCI论文11篇，其中1篇入选ESI高被引论文；合作发表SCI论文30余篇；申请国家发明专利5项。主持中国博士后科学基金面上项目、湖北省博士后创新岗位等科研项目，2024年荣获湖北省科学技术进步奖二等奖。
办公地点：崇真楼南楼2046
电子邮箱：bazinga_pm@foxmail.com
Ø 教育经历
2012.09-2016.06 武汉理工大学电子科学与技术系 大学本科
2016.09-2022.06 华中科技大学武汉光电国家研究中心 博士研究生 （硕博连读）
2017.09-2022.06 中国科学院上海技术物理研究所 博士研究生 （联合培养）
Ø 工作经历
2022.07-2025.04 华中科技大学武汉光电国家研究中心唐江教授课题组 博士后
2025.05-至今 武汉纺织大学微电子学院 校聘副教授
Ø 研究方向
低维半导体材料生长、半导体光电探测器
Ø 代表性成果
1. Peng Meng, He Yuming, Hu Yuxuan, et al. TexSe1-x Shortwave infrared photodiode arrays with monolithic integration. Nano Letters, 2024, 24(40): 12620-12627.
2. Peng Meng, Wu Feng, Wang Zhen, Wang Peng, Gong Fan, Long Mingsheng, Chen Changqing, Dai Jiangnan and Hu Weida. Enhancement-mode CdS nanobelts field effect transistors and phototransistors with HfO2 passivation. Applied Physics Letters. 114, 111103, 2019.
3. Peng Meng, Xie Runzhang, Wang Zhen, Shan Chongxin, Dai Jiangnan, Chen Changqing, Chen Xiaoshuang, Lu Wei and Hu Weida. Blackbody-sensitive room-temperature infrared photodetectors based on low-dimensional tellurium grown by chemical vapor deposition. Science Advances. 7, eabf7358, 2021.
4. Peng Meng, Yu yiye, Wang Zhen, Fu Xiao, Gu Yue, Wu Feng, Dai Jiangnan, Chen Changqing, and Hu Weida. Room-temperature blackbody-sensitive and fast infrared photodetectors based on 2D tellurium/graphene Van der Waals Heterojunction. ACS Photonics. 9, 5, 2022.
5. Liu Weijie, Peng Meng, Chen Maohua, et al. A bias-tunable multispectral photodetector based on a GaN/TexSe1-x homo-type heterojunction with a unidirectional barrier. Advanced Science, 2025: 2417428.
6. Liu Weijie, Peng Meng, Yu Yiye, et al. gate-tunable spectral response in β-Ga2O3/Te hybrid photogating structure for ultrasensitive broadband detection. Advanced Optical Materials, 2024, 12(13): 2302746.
7. Wang Zhen, Tan Chunhua, Peng Meng, et al. Giant infrared bulk photovoltaic effect in tellurene for broad-spectrum neuromodulation. Light: Science & Applications, 2024, 13(1): 277.
8. Tong Lei, Peng Meng, Wu Peisong, Huang Xinyu, Li Zheng, Peng Zhuiri, Lin Runfeng, Sun Qiaodong, Shen Yaxi and Zhu Xuefeng. Hole-dominated Fowler–Nordheim tunneling in 2D heterojunctions for infrared imaging. Science Bulletin. 66, 139-146, 2021.
9. Sun Jiamin, Peng Meng, Zhang Yushuang, Zhang Lei, Peng Rui, Miao Chengcheng, Liu Dong, Han Mingming, Feng Runfa, Ma Yandong, Dai Ying, He Longbing, Shan Chongxin, Pan Anlian, Hu Weida and Yang Zai-Xing. Ultrahigh Hole Mobility of Sn-Catalyzed GaSb Nanowires for High Speed Infrared Photodetectors. Nano Letters. 19, 5920-5929, 2019.
10. Sun Jiamin, Han Mingming, Peng Meng, Zhang Lei, Liu Dong, Miao Chengcheng, Ye Jiafu, Pang Zhiyong, He Longbing and Wang Hailu. Stoichiometric effect on electrical and near-infrared photodetection properties of full-composition-range GaAs1−xSbx nanowires. Nano Research. 14, 3961-3968, 2021.
