关于宽禁带半导体材料与器件湖北省工程研究中心2025年度开放课题申报的通知

宽禁带半导体材料与器件湖北省工程研究中心于2024年11月经湖北省发改委批准成立，是面向市场需求、紧跟前沿技术、聚焦关键领域的省级科研平台，致力于持续推动宽禁带半导体领域的技术创新与应用发展，助力区域乃至全国相关产业链的培育与关键技术突破。为促进研究中心建设，加强国内外学术合作与交流，充分发挥研究中心作为学术交流与科研平台的作用，提升本领域科研水平，根据中心发展规划，现诚挚邀请国内外相关领域研究人员申请2025年度开放课题。研究中心将以开放基金的形式对入选课题予以支持。课题评审将遵循“公平竞争、科学评审、激励创新、择优支持”的原则，由研究中心技术委员会统一评审确定。

现将2025年度开放课题申报指南公布如下：

一、申请人员资格

1. 国内外高等院校及科研机构的研究人员，或大型企事业单位中从事技术开发工作的在编在岗人员。

2. 申请人原则上必须具备副高及以上职称或具有博士学位。

二、本次开放课题资助的主要研究方向

1. 宽禁带半导体材料与器件

围绕宽禁带半导体在高效功率电子、高频微波及深紫外光电器件等方向的应用，重点支持材料外延生长、缺陷调控、界面优化、新型器件结构与性能提升等方面的创新研究，推动其在能源、通信、国防等领域的实用化进程。

2. 新型低维半导体材料与器件

面向下一代信息器件与集成系统，支持包括二维材料、纳米线、量子点等低维半导体材料的可控制备、物性研究及其在柔性电子、量子传感、光电集成等方面的器件探索，促进高性能、新功能半导体技术的发展。

3. 半导体材料与多学科交叉应用

鼓励宽禁带及低维半导体材料与生物医学、能源环境、人工智能等领域的深度融合，支持如生物传感与成像、植入式医疗器件、智能诊疗系统、能源转换材料等前沿交叉方向的研究，拓展半导体技术的应用边界。

三、开放课题管理办法

1. 人员交流与科研合作

课题负责人及团队成员可根据研究需要，不定期来本中心开展学术交流与科研工作；鼓励选派研究生来中心从事与课题相关的研究。

2. 研究成果归属与权益分配

获得本中心立项资助的开放课题，所取得的研究成果由本中心与课题负责人所在单位共同所有，具体权益比例在任务书中明确。成果的转让或产业化应用须经本中心书面同意，所产生的经济效益由本中心与成果完成人按1:1的比例分配。

3. 成果署名规范

受开放课题资助发表的论文、申请的专利、申报的奖项等成果，须按规定标注本中心为完成单位之一，中英文署名格式如下：
中文：宽禁带半导体材料与器件湖北省工程研究中心（武汉纺织大学）
英文：Hubei Provincial Engineering Research Center for Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices (Wuhan Textile University)

四、开放课题申请说明

1. 资助额度与研究期限

本年度拟资助开放课题4–5项，每项资助经费为1–2万元。经费使用须遵循本中心2025年修订的经费管理办法（具体文件将随立项通知一并发送）。课题研究期限为1–2年。

2. 申请方式

（1）申请课题须符合本工程中心发布的课题指南范围。

（2）申请人须与本工程中心至少一名固定研究人员联合申报（由其协调项目在中心内的进展与资源使用）。同时鼓励联合国内外其他高水平研究团队或机构成员共同申报。申请人本人须作为课题总负责人，全面负责课题的协调与实施。

（3）申请人可下载并按要求填写《开放课题申请报书》，于2025年11月15日前将纸质版申请书（一式三份，含签字与单位盖章）寄回本中心，同时将Word电子版（含签字盖章页的扫描件）发送至本中心指定邮箱。

通讯地址：430200，湖北省武汉市江夏区阳光大道1号武汉纺织大学微电子学院

邮箱：bazinga_pm@wtu.edu.cn

联系人：彭孟老师

联系电话：13720175132

附件：2025年度宽禁带半导体材料与器件湖北省工程研究中心开放课题申报书

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宽禁带半导体材料与器件湖北省工程研究中心

2025年10月27日