微电子学院举办2026年第16期研究生论坛

为紧跟学科前沿动态，破解科研实践难题，持续提升研究生科研创新能力与学术表达水平，先进半导体材料与器件团队于11月10日晚上在崇文楼102会议室举办武汉纺织大学第1271期研究生学术论坛暨微电子学院2026年第16期研究生论坛。

团队导师与研究生齐聚现场，围绕宽禁带半导体、光电器件等前沿方向开展深度学术研讨。三名研究生依次汇报各自课题的最新研究进展；与会导师认真聆听报告，针对研究中的关键科学问题与技术难点逐一开展细致点评和专业指导，为同学们后续研究工作厘清思路，提供了切实可行的解决方案。

谢杰超本次汇报展示了一种双台面侧壁反射结构，可显著增强AlGaN基DUV LED的光提取。与普通的单台面设计相比，所提出的双台面策略在LEE方面实现了大幅提升。实验上，双台面结构带来了显著的性能增强：对于273 nm LED，EQE和WPE分别提高了约12.69%和11.79%；而对于244 nm LED，相应的提升达到约17.68%和12.80%。优化后的244 nm LED在100 mA注入电流下实现了1.74 mW的LOP、0.34%的EQE和0.16%的WPE。FDTD模拟表明，其主要原因是第二台面创造了额外的光子逃逸路径朝向蓝宝石衬底，促进了原本被困在n-AlGaN和AlN层中的光子的提取。在此，本工作为AlGaN基DUV LED的侧壁反射优化引入了一条新途径。通过在叉指指状p型台面之间以及器件周边同时刻蚀双台面，并将该方法与现有的单台面侧壁反射策略相结合，有望实现进一步的改进。

雷权翻总结并展示调控有机隔层厚度的钙钛矿发光薄膜与器件研究：前期制备了0，8，9，10，11 nm不同厚度的薄膜，发现10-8-10和10-11-10结构荧光强度更高但成膜不均匀；表征方面，XRD因底部ITO衍射峰过强导致钙钛矿峰不明显，SEM显示退火样品棒状晶粒较少、而未退火的10-9-10样品棒状晶粒更明显，可能是退火的样品放置时间太久分解了，XPS表明随有机层厚度变化Pb、I、Br特征峰均向低结合能方向移动；器件制备中曾遇到蒸镀铝电极呈灰色、电阻过大的问题，排查后得以解决，最终制得结构为MoO3/NPB/CsBr/TFO-PFCl/PbI2/TPBi/LiF/Al的器件并成功点亮，开启电压约3 V，最大EQE达4.942%；下一步计划是补充XRD表征并制备不同发光层厚度的器件。

杨正楠聚焦使用 BMEP 单体作为交联剂和表面配体，提升了量子点的 PLQY 并防止聚集，其制备得到了不同浓度的量子点薄膜，30 wt%下蓝光吸收率可达到 99.45%，其中使用的涂覆方法为直接用玻璃片压出一层薄膜，并详细描述了各个步骤的详细操作，可以用于之后的实验借鉴，之后尝试使用压涂方法进行相关实验。

本次学术论坛搭建起良好的师生学术交流平台，有效促进了团队内部科研思想碰撞。参会研究生在汇报与交流中进一步明晰研究短板，拓宽科研视野。下一步，团队将持续常态化开展学术交流活动，厚植科研氛围，助力研究生锤炼科研本领，产出更高质量的研究成果。（通讯员：王佳豪）