周圣军教授做客武汉纺织大学第905期阳光论坛 聚焦高效率氮化物LED外延与芯片制造技术

2025年12月9日上午，武汉纺织大学第905期阳光论坛在阳光校区建全会堂全棉时代厅成功举办。本次论坛由微电子学院主办，特邀武汉大学周圣军教授作题为“半导体照明与显示用高效率氮化物LED外延生长与芯片制造技术”的学术报告。论坛由微电子学院院长陈长清教授主持，学院教师、研究生与本科生等百余名师生共同参加。

开场中，陈长清院长对周圣军教授在氮化物半导体、LED外延生长与芯片制造等领域的长期研究及重要成果进行了介绍，并对周教授莅临我校交流表示热烈欢迎。他表示，氮化物LED技术是支撑新型显示、照明以及深紫外应用的重要基础，本次报告对学院的科研与人才培养均具有重要启发意义。

周胜军教授报告现场

在报告中，周圣军教授围绕Mini/Micro-LED、长波长InGaN LED和深紫外LED三个方向展开系统讲解。他详细介绍了团队通过MOCVD原位生长、ICP刻蚀、激光加工、TMAH湿法腐蚀等工艺在芯片关键区域构建微纳结构，以提升光提取效率的研究进展。同时，他展示了针对汽车大灯等高电流应用场景所设计的三维倒装结构LED芯片，展示了如何通过改进电极布局提升电流扩展均匀性与光输出效率。此外，周教授还介绍了其团队在In组分控制、量子阱结构设计、超薄隧道结与蜂窝状反射镜阵列等方面的创新成果，为实现高性能长波长与深紫外LED提供了新的技术路径。

师生提问互动环节

在互动交流环节，师生就LED外延材料表征、芯片结构优化、深紫外器件的发展趋势等问题踊跃提问。周教授结合自身丰富的科研经验，逐一给予耐心解答，现场学术氛围浓厚。

论坛结束后专家与师生合影

本次阳光论坛不仅让师生全面了解了氮化物LED领域的最新研究动态，也为微电子学院进一步深化在宽禁带半导体材料与器件方向的科研合作打下了良好基础。学院将持续邀请国内外专家来校交流，推动学科建设与科研创新不断迈上新台阶。